Транзистор всё тот же что и раньше (SiHG20N50). Жду когда дойдут более жирные (присмотрел MS30N010, 1000в 30а). Вообще, конечно, на карбид кремния (SiC MOSFET) пора переезжать, но это сложно. Дело в том, что кремниевый (Si) MOSFET является нормально закрытым (то есть, если напряжение затвор-исток ноль, он не проводит). А SiC - нормально открытым. Ему надо уводить затвор в минус, чтобы он закрывался.
Одним из вариантов решения является т.н. JFET cascode, когда последовательно с SiC включен низковольтный Si мосфет, который управляет его затвором. По идее, это должно решать вопросик с правильным режимом у SiC, чтобы использовать его как обычные Si мосфеты, но почему-то реализует такой подход только одна компания, Qorvo (в серии UF3***, которую использовал Стив Вард в своём мегафакельнике).
Скоро Зергорий попробует добраться и до них.
...интересно, сколько ещё можно выжать мощи из SiHG20N50?
#hv
#diy